碳化硅二极管 SiC SBD
碳化硅肖特基二极管相比普通的PN结势垒二极管具有导通压降低，开关速度快、0反向恢复、耐高温的优点。碳化硅肖特基二极管可应用于光伏逆变器、高频电源、高性能服务器电源、充电桩充电模块等领域。
| 类别 | 序号 | 型号 | 规格 | 封装形式 | 反向电压VRRM | 正向电流IF(150℃) | 正向压降VF | 规格书下载 | 其他备注 |
| SBD | 1 | TD5G04065A | 650V/4A | TO-220-2 | 650 | 4 | 1.4 | ||
| SBD | 2 | TD5G06065E | 650V/6A | TO-252-2 | 650 | 6 | 1.4 | ||
| SBD | 3 | TD5G06065A | 650V/6A | TO-220-2 | 650 | 6 | 1.38 | ||
| SBD | 4 | TD5G06065L | 650V/6A | DFN 5*6 | 650 | 6 | 1.38 | ||
| SBD | 5 | TD5G08065A | 650V/8A | TO-220-2 | 650 | 8 | 1.38 | ||
| SBD | 6 | TD5G08065E | 650V/8A | TO-252-2 | 650 | 8 | 1.38 | ||
| SBD | 7 | TD5G08065L | 650V/8A | DFN 5*6 | 650 | 8 | 1.38 | ||
| SBD | 8 | TD5G10065A | 650V/10A | TO-220-2 | 650 | 10 | 1.41 | ||
| SBD | 9 | TD4G10065G | 650V/10A | TO-263-2 | 650 | 10 | 1.41 | ||
| SBD | 10 | TD5G15065A | 650V/15A | TO-220-2 | 650 | 15 | 1.41 | ||
| SBD | 11 | TD5G20065A | 650V/20A | TO-220-2 | 650 | 20 | 1.41 | ||
| SBD | 12 | TD5G20065D | 650V/20A | TO-247-3 | 650 | 10*/20** | 1.41 | ||
| SBD | 13 | TD5G02120E | 1200V/2A | TO-252-2 | 1200 | 2 | 1.41 | ||
| SBD | 14 | TD5G05120A | 1200V/5A | TO-220-2 | 1200 | 5 | 1.41 | ||
| SBD | 15 | TD5G08120A | 1200V/8A | TO-220-2 | 1200 | 8 | 1.41 | ||
| SBD | 16 | TD5G10120A | 1200V/10A | TO-220-2 | 1200 | 10 | 1.41 | ||
| SBD | 17 | TD5G10120G | 1200V/10A | TO-263-2 | 1200 | 10 | 1.41 | ||
| SBD | 18 | TD5G10120H | 1200V/10A | TO-247-2 | 1200 | 10 | 1.41 | ||
| SBD | 19 | TD5G20120A | 1200V/20A | TO-220-2 | 1200 | 20 | 1.41 | ||
| SBD | 20 | TD5G20120H | 1200V/20A | TO-247-2 | 1200 | 20 | 1.41 | ||
| SBD | 21 | TD5G20120D | 1200V/20A | TO-247-3 | 1200 | 10*/20** | 1.41 | ||
| SBD | 22 | TD5G30120H | 1200V/30A | TO-247-2 | 1200 | 30 | 1.48 | ||
| SBD | 23 | TD5G40120H | 1200V/40A | TO-247-2 | 1200 | 40 | 1.48 | ||
| SBD | 24 | TD5G40120D | 1200V/40A | TO-247-3 | 1200 | 20*/40** | 1.48 | ||
| SBD | 25 | TD5G50121H | 1200V/50A | TO-247-2 | 1200 | 50 | 1.48 | ||
| SBD | 26 | TD5G60122H | 1200V/60A | TO-247-2 | 1200 | 60 | 1.48 |
SBD裸芯片列表 SBD Bare Die List
| 序号 | 规格 | 封装 | 料号 | 形式 | 反向电压 | 电流 (150℃) | 规格书下载 | 其他备注 |
| 1 | 650V/4A | Wafer | TD5G04065B | Bare Die | 650 | 4 | ||
| 2 | 650V/6A | Wafer | TD5G06065B | Bare Die | 650 | 6 | ||
| 3 | 650V/8A | Wafer | TD5G08065B | Bare Die | 650 | 8 | ||
| 4 | 650V/10A | Wafer | TD5G10065B | Bare Die | 650 | 10 | ||
| 5 | 650V/15A | Wafer | TD5G15065B | Bare Die | 650 | 15 | ||
| 6 | 650V/20A | Wafer | TD5G20065B | Bare Die | 650 | 20 | ||
| 7 | 1200V/2A | Wafer | TD5G08120B | Bare Die | 1200 | 2 | ||
| 8 | 1200V/5A | Wafer | TD5G08120B | Bare Die | 1200 | 5 | ||
| 9 | 1200V/8A | Wafer | TD5G08120B | Bare Die | 1200 | 8 | ||
| 10 | 1200V/10A | Wafer | TD5G10120B | Bare Die | 1200 | 10 | ||
| 11 | 1200V/20A | Wafer | TD5G20120B | Bare Die | 1200 | 20 | ||
| 12 | 1200V/30A | Wafer | TD5G30120B | Bare Die | 1200 | 30 | ||
| 13 | 1200V/40A | Wafer | TD5G40120B | Bare Die | 1200 | 40 | ||
| 14 | 1200V/50A | Wafer | TD5G50120B | Bare Die | 1200 | 50 | ||
| 15 | 1200V/60A | Wafer | TD5G60120B | Bare Die | 1200 | 60 |
碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。SiC六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高热传导系数的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的宽禁带暨第三代半导体材料。
ü更高的临界击穿电场降低器件损耗：提升功率密度、容量，提升效率；
ü更高的工作温度极限高温、高可靠领域；
ü更高的载流子漂移速度高频通讯、高速开关；
碳化硅SBD与硅对比 开关损耗降低70%以上
